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http://bdex.eb.mil.br/jspui/handle/123456789/9120
Registro completo de metadados
Campo DC | Valor | Idioma |
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dc.contributor.advisor | Lima, Eduardo de Sousa | - |
dc.contributor.advisor | Melo, Francisco C. L. de | - |
dc.contributor.author | Gonçalves, Danilo Abílio Corrêa | - |
dc.date.accessioned | 2021-05-19T18:03:00Z | - |
dc.date.available | 2021-05-19T18:03:00Z | - |
dc.date.issued | 2017 | - |
dc.identifier.uri | http://bdex.eb.mil.br/jspui/handle/123456789/9120 | - |
dc.description | Dissertação (Mestrado em Ciência dos Materiais) - Instituto Militar de Engenharia | pt_BR |
dc.description.abstract | Esta pesquisa analisou o processamento e o desempenho balístico do pó de SiC nanométrico sinterizado com adições de 1 e 5% de Al2O3 e Y2O3. O comportamento de prensagem dos pós primeiramente foi avaliado por uma curva de compactação. Corpos verdes cilíndricos e hexagonais foram conformados por prensagem uniaxial e isostática, utilizando álcool polivinílico como ligante. A sinterização sem pressão ocorreu a 1950 °C, e a prensagem a quente a 1800 e 1850 °C, ambas pelo tempo de 30 min em atmosfera inerte de Ar. Os pós, como recebidos, de SiC, Al2O3 e Y2O3 foram examinados por microscopia eletrônica de varredura, picnometria de He e difração de raios-X. As amostras sinterizadas foram caracterizadas por: difração de raios-X e microscopia eletrônica de varredura da superfície de fratura; medidas de densidade, porosidade, retração volumétrica, perda de massa e das propriedades elásticas; ensaios de dureza, tenacidade à fratura e balísticos. Fases diferentes se formaram em função da rota de sinterização. Foi possível obter densificação acima de 90% em alguns grupos com 5% de aditivos. O módulo de elasticidade foi da ordem de 380 GPa, a dureza na faixa de 21 a 30 GPa, e a tenacidade à fratura situou-se entre 3,10 e 6,12 MPa.m1/2 . No ensaio balístico de velocidade residual, a blindagem de SiC + Kevlar ®, absorveu até 80% da energia cinética do projétil 7,62 x 51 mm. Pelos resultados e discussões apresentadas, averiguou-se ser possível produzir placas balísticas de SiC a partir de pós nanométricos. | pt_BR |
dc.language.iso | pt_BR | pt_BR |
dc.subject | Estudo do processamento e comportamento | pt_BR |
dc.subject | Balístico do SiC | pt_BR |
dc.subject | Nanométrico | pt_BR |
dc.subject | Adição de Al2O3 e Y2O3 | pt_BR |
dc.title | Estudo do processamento e comportamento balístico do SiC nanométrico com adição de Al2O3 e Y2O3 | pt_BR |
dc.type | Dissertação | pt_BR |
dc.rights.license | Este exemplar é de propriedade do Instituto Militar de Engenharia, que poderá incluí-lo em base de dados, armazenar em computador, micro filmar ou adotar qualquer forma de arquivamento. É permitida a menção, reprodução parcial ou integral e a transmissão entre bibliotecas deste trabalho, sem modificação de seu texto, em qualquer meio que esteja ou venha a ser fixado, para pesquisa acadêmica, comentários e citações, desde que sem finalidade comercial e que seja feita a referência bibliográfica completa. Os conceitos expressos neste trabalho são de responsabilidade do autor e dos orientadores. | pt_BR |
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